技术创新一直是我们孜孜不倦的追求和努力,和您分享我们的成就是我们永远的热情。
公司一直致力于模拟/混合信号制程和功率器件/电路制程的开发,如今已经形成了自己独特的 CMOS/ANALOG, BICMOS,RF/Mixed-Signal CMOS,BCD,功率器件和MEMS 工艺平台以及一系列客制化工艺平台。公司在功率模拟工艺技术方面具有核心竞争力,推出的0.8μm/1.0μm UHV BCD工艺解决方案为绿色电源和半导体显示领域的产品开发提供了更加有力的支持。
我们是您永远值得信赖的伙伴!
BCD | 0.18μm | 0.18μm AB BCD(7V-24V) |
0.18μm DB BCD G2S(7V-80V) | ||
0.18μm DB BCD G2S(80V-120V) | ||
0.18μm DB BCD G3(7V-40V) | ||
0.25μm | 0.25μm s-BCD G2(12V-60V) | |
0.8μm | 0.8μm 700V BCD G3S | |
0.8μm 40V Power Analog | ||
1.0μm | 1.0μm 600V HVIC | |
1.0μm 60V/120V HV | ||
1.0μm 25V/40V HV |
Standard Analog | 0.25μm | 0.25μm 5V Salicide Analog |
0.35μm | 0.35μm 3V/5V Mixed-Signal | |
0.5μm/0.35μm | 0.5μm/0.35μm 5V Mixed-Signal | |
0.5μm/0.35μm 7V LDO |
Mixed-Signal/RF | 0.11μm | 0.11μm ULL |
0.11μm e-Flash | ||
0.153um | 0.153μm CMOS EN (5V) | |
0.18μm | 0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/3.3V G | |
0.18μm/0.16μm/0.153μm 1.8V/5V G | ||
0.18μm CMOS EN(3.3V or 5V) | ||
0.18μm e-Flash |